型号:

BSO130P03S H

RoHS:无铅 / 符合
制造商:Infineon Technologies描述:MOSFET P-CH 30V 9.2A DSO-8
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
BSO130P03S H PDF
标准包装 1
系列 OptiMOS™
FET 型 MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 9.2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 13 毫欧 @ 11.7A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 2.2V @ 140µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 81nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 3520pF @ 25V
功率 - 最大 1.56W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装 P-DSO-8
包装 标准包装
其它名称 BSO130P03S HDKR
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